Infineon HEXFET MOSFET, 6.6 A, 100 V, 5-Pin TO-220 IRFI4212H-117PXKMA1
- RS Stock No.:
- 258-3978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB145.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB155.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 828 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB72.66 | THB145.32 |
| 10 - 18 | THB65.335 | THB130.67 |
| 20 - 28 | THB52.51 | THB105.02 |
| 30 - 38 | THB43.045 | THB86.09 |
| 40 + | THB36.94 | THB73.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Integrated half-bridge package
High efficiency and THD
Low EMI
Environmentally friendly
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET MOSFET 100 V, 5-Pin TO-220
- Infineon HEXFET MOSFET 200 V, 5-Pin TO-220 IRFI4020H-117PXKMA1
- Infineon HEXFET MOSFET 150 V, 5-Pin TO-220 IRFI4019H-117PXKMA1
- Infineon HEXFET MOSFET 200 V, 5-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9120NTRPBF
- Infineon HEXFET MOSFET 150 V, 5-Pin TO-220
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD8P10TM
