Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON IRF6727MTRPBF
- RS Stock No.:
- 258-3966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6727MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*
THB186,024.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB199,046.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | THB38.755 | THB186,024.00 |
| 9600 - 9600 | THB37.593 | THB180,446.40 |
| 14400 + | THB36.089 | THB173,227.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3966
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6727MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | WDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 770mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type WDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Forward Voltage Vf 770mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
High-current rating
Dual-side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Compact form factor
High efficiency
Environmentally friendly
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V WDSON IRF6727MTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V WDSON IRF6646TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRLS4030TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-220 IRFB3207PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-263 IRF1404ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4010TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR7440TRPBF