Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON IRF6727MTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB192.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB205.644

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,370 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB96.095THB192.19
10 - 98THB86.485THB172.97
100 - 248THB69.11THB138.22
250 - 498THB56.915THB113.83
500 +THB47.305THB94.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-3968
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF6727MTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WDSON

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Forward Voltage Vf

0.77V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

High-current rating

Dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Compact form factor

High efficiency

Environmentally friendly

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง