Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF
- RS Stock No.:
- 258-3963
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6646TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB204.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,688 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB102.375 | THB204.75 |
| 10 - 98 | THB92.68 | THB185.36 |
| 100 - 248 | THB75.08 | THB150.16 |
| 250 - 498 | THB63.23 | THB126.46 |
| 500 + | THB52.82 | THB105.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3963
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6646TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | WDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.5mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type WDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques. Application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.
Application Specific MOSFETs
Ideal for High Performance Isolated Converter
Primary Switch Socket
Optimized for Synchronous Rectification
Low Conduction Losses
High Cdv/dt Immunity
Low Profile (<0.7mm)
Dual Sided Cooling Compatible
Compatible with existing Surface Mount Technique
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V WDSON
- onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
- onsemi NTTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG
- onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRF7648M2TR
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V WDSON