Infineon BSD N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD316SNH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 258-0699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD316SNH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB56.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 12,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | THB5.65 | THB56.50 | - |
| 20 - 90 | THB5.481 | THB54.81 | 2% |
| 100 - 240 | THB5.317 | THB53.17 | 5% |
| 250 - 490 | THB5.157 | THB51.57 | 8% |
| 500 + | THB5.002 | THB50.02 | 11% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD316SNH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | BSD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Width | 1.25mm | |
| Length | 2mm | |
| Height | 900μm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series BSD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Width 1.25mm | ||
Length 2mm | ||
Height 900μm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSD N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS316NH6327XTSA1
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2N7002 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
