Infineon BSD Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD316SNH6327XTSA1

RS Stock No.:: 258-0699
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSD316SNH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSD Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD316SNH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB74.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB79.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

15,810 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB7.425	THB74.25
20 - 90	THB5.544	THB55.44
100 - 240	THB3.469	THB34.69
250 - 490	THB2.367	THB23.67
500 +	THB1.832	THB18.32

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-0699
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSD316SNH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-363
	Series	BSD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	160mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	0.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	2mm
	Width	1.25 mm
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-363
	Series BSD
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 0.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 2mm
	Width 1.25 mm
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BSD316SNH6327XTSA1

The Infineon N-channel small signal MOSFET automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

Fast switching

Dv/dt rated

Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life

Small packages save PCB space

Best-in-class quality and reliability

Infineon BSD Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD316SNH6327XTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง