Infineon BSD Type P-Channel MOSFET, -0.39 A, 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 250-0520
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD223PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB7,890.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,430.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.63 | THB7,890.00 |
| 6000 - 6000 | THB2.367 | THB7,101.00 |
| 9000 + | THB2.131 | THB6,393.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0520
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD223PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -0.39A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | BSD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -0.39A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series BSD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon highly innovative OptiMOS™ families include enhancement mode mosfet with Super logic level. It is avalanche and dv/dt rated. It offers fast switching. The device is Pb-free and Halogen-free. The Vds is -20 V, Rds(on) is 1.2 Ω while the Id is -0.39 A.
Consistently meet the highest quality and performance demands
Great on-state resistance and figure of merit characteristics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD223PH6327XTSA1
- Infineon BSD Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD316SNH6327XTSA1
- Infineon BSV Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD235C 2 Type N 0.95 A 6-Pin SOT-363
- Infineon BSV Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- Infineon BSD235C 2 Type N 0.95 A 6-Pin SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-363