Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS316NH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 145-8833
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS316NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB7,590.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,130.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.53 | THB7,590.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.454 | THB7,362.00 |
| 12000 + | THB2.38 | THB7,140.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-8833
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS316NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.9mm | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 2 Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 1.4A Maximum Continuous Drain Current - BSS316NH6327XTSA1
This n-channel MOSFET is a surface-mount switching transistor designed for low-voltage power management in compact electronic assemblies. It operates as an enhancement-mode device suitable for switching and control tasks in automotive and industrial contexts, with a gate-source voltage rating that enables robust drive margins for typical control circuits.
Features and Benefits:
• Low on-resistance delivers efficient conduction and reduced losses
• 30V drain-source rating supports common low-voltage systems
• 1.4A continuous current capability handles moderate loads
• 0.6nC typical gate charge enables fast switching transitions
• 500mW maximum power dissipation suits tight thermal budgets
• AEC‑Q101 qualification provides automotive-grade reliability criteria
• 30V drain-source rating supports common low-voltage systems
• 1.4A continuous current capability handles moderate loads
• 0.6nC typical gate charge enables fast switching transitions
• 500mW maximum power dissipation suits tight thermal budgets
• AEC‑Q101 qualification provides automotive-grade reliability criteria
Applications
• Suitable for low-voltage automotive load switching
• Ideal for point-of-load conversion in compact electronics
• Used with battery-powered systems requiring small form factor
• Can be used for motor-drive gate control in small actuators
• Suitable for power management on densely populated boards
• Ideal for point-of-load conversion in compact electronics
• Used with battery-powered systems requiring small form factor
• Can be used for motor-drive gate control in small actuators
• Suitable for power management on densely populated boards
What thermal range can it withstand during operation?
It is specified to operate from -55°C up to 150°C, allowing use across wide temperature environments.
How many electrical connections does it present to the board?
It uses a three-pin configuration compatible with standard SOT-23 land patterns for surface mounting.
What maximum voltage should be applied between gate and source?
The gate-to-source rating is 20V, which defines the safe maximum gate-drive amplitude.
What package height and footprint considerations affect layout?
The package has a low profile with a height of 0.9mm and rectangular footprint sizing of 2.9x1.3mm for compact PCB designs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS816NWH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1
