Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 214-4331
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD214SNH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB6,300.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,750.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.10 | THB6,300.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.037 | THB6,111.00 |
| 12000 + | THB1.975 | THB5,925.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4331
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD214SNH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.35 mm | |
| Length | 2.02mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.35 mm | ||
Length 2.02mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor are Qualified according to AEC Q101.
N-channel
Enhancement mode
Super Logic level (2.5V rated)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P 1.5 A 6-Pin TSOP BSL215CH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P 1.5 A 6-Pin TSOP
- Infineon BSD235C 2 Type N 0.95 A 6-Pin SOT-363
- Infineon BSD235C 2 Type N 0.95 A 6-Pin SOT-363 BSD235CH6327XTSA1
- Infineon BSV Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon BSV Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSV236SPH6327XTSA1
- DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363