DiodesZetex Dual 2N7002 Type N-Channel MOSFET, 261 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 222-2691
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002DWK-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB6,270.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,720.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 12,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB2.09 | THB6,270.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-2691
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002DWK-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 261mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | 2N7002 | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.33W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 261mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series 2N7002 | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.33W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
The DiodesZetex dual N-Channel MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2N7002 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 2N7002DWK-7
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN62D4LDW-7
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDWQ-7
- DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363