Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V PQFN
- RS Stock No.:
- 257-9446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6376TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB29,184.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,228.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB7.296 | THB29,184.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6376TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.9W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.9W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLHS series is the 30V Dual N channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Low RDS (on) in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHS6376TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHM630TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7606TRPBF
