Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF

RS Stock No.:: 217-2615
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH8334TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB578.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB618.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 950	THB11.563	THB578.15
1000 - 1950	THB11.274	THB563.70
2000 +	THB11.101	THB555.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2615
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH8334TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	4.98 mm
	Height	1.17mm
	Length	6.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 4.98 mm
	Height 1.17mm
	Length 6.02mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH8334TRPBF

The Infineon 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)

Industry standard surface-mount power package

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง