Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V PQFN IRLHS6376TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9447
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6376TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB157.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB168.27
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,980 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB15.726 | THB157.26 |
| 50 - 90 | THB15.254 | THB152.54 |
| 100 - 490 | THB14.644 | THB146.44 |
| 500 - 1990 | THB13.912 | THB139.12 |
| 2000 + | THB13.077 | THB130.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9447
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLHS6376TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.9W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.9W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLHS series is the 30V Dual N channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Low RDS (on) in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHM630TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23