Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 7.60 A, 30 V Enhancement PQFN IRLHS6376TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB157.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB168.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB15.726THB157.26
50 - 90THB15.254THB152.54
100 - 490THB14.644THB146.44
500 - 1990THB13.912THB139.12
2000 +THB13.077THB130.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLHS6376TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4.9W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30V Maximum Drain-Source Voltage, 7.60A Maximum Continuous Drain Current - IRLHS6376TRPBF


This MOSFET is an N-channel enhancement-mode transistor designed for switching and power-management roles in electronic systems. It operates across a wide temperature range from -55°C to 150°C and meets RoHS requirements, making it suitable where regulated material standards are required. The device is supplied in a PQFN package intended for through‑hole mounting.

Features and Benefits:


• 63mΩ RDS(on) minimises conduction losses for improved efficiency
• 30V VDS enables low-voltage power switching applications
• 7.60A continuous drain current supports sustained load delivery
• 2.8 nC typical gate charge allows high-speed switching performance
• 4.9W power dissipation manages thermal load within limits

Applications


• Suitable for low-voltage motor-drive circuitry
• Ideal for power-supply secondary switching stages
• Used for battery-management and DC-DC conversion tasks
• Can be used for telecoms and industrial-control switching
• Appropriate for heat-managed consumer power modules

What gate voltage can be applied without damage?


The maximum gate-to-source rating is 12V.

How does thermal tolerance affect deployment?


The device operates from -55°C to 150°C, enabling use in environments with wide temperature variation.

What is the typical switching characteristic relevant to gate-drive design?


The typical total gate charge is 2.8 nC at rated gate-drive conditions.

What package and mounting method are provided for PCB integration?


It is supplied in a PQFN package configured for through‑hole mounting.

Is this device intended for automotive specification use?


It is not designated as compliant with automotive standards.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง