Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V Enhancement PQFN IRFH7440TRPBF

RS Stock No.:: 257-9381
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7440TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V Enhancement PQFN IRFH7440TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB88,864.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95,084.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 +	THB22.216	THB88,864.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-9381
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7440TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	92nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6mm
	Height	900μm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6mm
	Height 900μm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH7440TRPBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 40V Maximum Drain-Source Voltage, 159A Maximum Continuous Drain Current - IRFH7440TRPBF

This MOSFET is an enhancement-mode N-channel power transistor designed for high-current switching in surface-mounted applications. It operates across a broad temperature range and conforms to RoHS requirements, making it suitable for environments where compact, low-resistance switching is required without automotive certification constraints.

Features and Benefits:

• 2.4mΩ Rds(on) lowers conduction losses
• 104W Pd enables sustained power handling
• 159A continuous current supports heavy loads
• 92 nC gate charge balances drive speed and control
• 20V Vgs max provides gate overvoltage protection

Applications

• Suitable for high-current DC power stages
• Ideal for switch-mode power supplies
• Used with Compact thermal management systems
• Can be used for motor-drive inverter legs
• Used for synchronous rectification in converters

What mounting style does it require?

It is supplied in a PQFN package intended for surface-mount assembly.

What thermal range can it withstand during operation?

It is rated to function from -55°C up to 150°C.

How does its forward voltage affect efficiency?

Its forward voltage of 0.9V reduces voltage drop during conduction, affecting overall system losses.

Is it suitable for automotive-qualified designs?

It is not qualified to automotive standards and should not be selected where automotive certification is required.