Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 220-7482
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5300TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB126,048.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB134,872.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB31.512 | THB126,048.00 |
| 8000 - 12000 | THB30.826 | THB123,304.00 |
| 16000 + | THB30.141 | THB120,564.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7482
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5300TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFH5300 is strong power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Logic level : Optimized for 5 V gate drive voltage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5300TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH7932TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5015TRPBF