Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 44 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 217-2614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH8334TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB37,792.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,436.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB9.448 | THB37,792.00 |
| 8000 - 12000 | THB9.164 | THB36,656.00 |
| 16000 + | THB8.889 | THB35,556.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH8334TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.2W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.02mm | |
| Height | 1.17mm | |
| Width | 4.98 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.2W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.02mm | ||
Height 1.17mm | ||
Width 4.98 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
Industry standard surface-mount power package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5015TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN