Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V Enhancement PQFN IRFH7440TRPBF

RS Stock No.:: 257-9382
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7440TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V Enhancement PQFN IRFH7440TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB212.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB227.37

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,915 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB42.498	THB212.49
50 - 95	THB40.374	THB201.87
100 - 495	THB38.354	THB191.77
500 - 1995	THB36.438	THB182.19
2000 +	THB34.612	THB173.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-9382
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7440TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	92nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Width	6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	900μm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 159A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Width 6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 900μm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH7440TRPBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 40V Maximum Drain-Source Voltage, 159A Maximum Continuous Drain Current - IRFH7440TRPBF

This MOSFET is an enhancement-mode N-channel power transistor designed for high-current switching in surface-mounted applications. It operates across a broad temperature range and conforms to RoHS requirements, making it suitable for environments where compact, low-resistance switching is required without automotive certification constraints.

Features and Benefits:

• 2.4mΩ Rds(on) lowers conduction losses
• 104W Pd enables sustained power handling
• 159A continuous current supports heavy loads
• 92 nC gate charge balances drive speed and control
• 20V Vgs max provides gate overvoltage protection

Applications

• Suitable for high-current DC power stages
• Ideal for switch-mode power supplies
• Used with Compact thermal management systems
• Can be used for motor-drive inverter legs
• Used for synchronous rectification in converters

What mounting style does it require?

It is supplied in a PQFN package intended for surface-mount assembly.

What thermal range can it withstand during operation?

It is rated to function from -55°C up to 150°C.

How does its forward voltage affect efficiency?

Its forward voltage of 0.9V reduces voltage drop during conduction, affecting overall system losses.

Is it suitable for automotive-qualified designs?

It is not qualified to automotive standards and should not be selected where automotive certification is required.