Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 222-4744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5250TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB112,492.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB120,368.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 16,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB28.123 | THB112,492.00 |
| 8000 - 8000 | THB27.041 | THB108,164.00 |
| 12000 + | THB26.699 | THB106,796.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5250TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.75 mm | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.75 mm | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDSon (<1.15 mΩ)
Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)
100% Rg tested
Low Profile (<0.9 mm)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement115
- onsemi NTMT190N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT110N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN