Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V Enhancement TO-220 IRFB4127PBF

RS Stock No.:: 257-5514
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4127PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V Enhancement TO-220 IRFB4127PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*

THB8,429.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,019.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
100 - 400	THB84.294	THB8,429.40
500 - 900	THB80.079	THB8,007.90
1000 +	THB76.075	THB7,607.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-5514
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4127PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	76A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 76A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFB4127PBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 200V Maximum Drain-Source Voltage, 375W Maximum Power Dissipation - IRFB4127PBF

This MOSFET is a high-voltage, enhancement-mode N-channel transistor designed for PCB mounting in a TO-220 package. It is intended for power switching and control tasks where substantial current handling and thermal capacity are required, and it operates across an extended industrial temperature range while meeting RoHS restrictions.

Features and Benefits:

• 20mΩ Rds(on) enabling reduced conduction losses
• 76A continuous drain current supporting high-load switching
• 200V drain-source rating permitting high-voltage applications
• 375W power dissipation improving thermal headroom
• 1.3V forward voltage minimising gate drive drop

Applications

• Suitable for power-supply switching in industrial systems
• Used with motor drivers requiring high current handling
• Ideal for DC-DC converters in high-voltage rails
• Can be used for inverter-stage switching on PCBs

What gate voltage limits must be observed?

The gate-to-source voltage must not exceed 20V to avoid damaging the gate dielectric.

What temperature range can it withstand during operation?

It is specified to function between -55°C and 175°C for broad industrial use.

Is the device suitable for surface mounting on circuit boards?

It is intended for PCB mounting in a through-hole TO-220 package for secure thermal and mechanical attachment.

Does it conform to environmental material restrictions?

The component is RoHS-compliant, meeting required restrictions on hazardous substances.