Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 25 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 688-6973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB5620PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 25 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB160.63

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB171.874

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 1,310 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 12	THB80.315	THB160.63
14 - 24	THB78.295	THB156.59
26 +	THB77.095	THB154.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 688-6973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB5620PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	73mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	14W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 73mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 14W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 25A Maximum Continuous Drain Current - IRFB5620PBF

This MOSFET is a high-voltage, N-channel semiconductor switch designed for through-hole power applications. It operates as an enhancement-mode device suitable for switching and amplification tasks in demanding environments, and it is housed in a TO-220 package for straightforward mounting and heat-sinking.

Features and Benefits:

• 200V drain voltage supports high-voltage switching
• 25A continuous drain current enables robust load handling
• 73mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power circuits
• 25nC gate charge allows controlled switching speeds
• 14W power dissipation permits moderate thermal loading
• Gate tolerance to 20V protects against overdrive events

Applications

• Suitable for high-voltage motor driver stages
• Ideal for switch-mode power supplies in industrial equipment
• Used for inverter-leg switching in power conversion
• Can be used for audio amplifier output stages
• Appropriate for general-purpose power switching on through-hole boards

What temperature extremes can it tolerate during operation?

It is specified to operate from -55°C up to 175°C, enabling use across extended thermal ranges.

How does the package affect mounting and thermal management?

The TO-220 through-hole package simplifies attachment to heatsinks and printed circuit boards for effective heat dissipation.

What gate voltage limits should be observed when driving it?

The maximum gate-to-source voltage rating is 20V, so gate drivers should remain within this threshold.

How does its channel type influence circuit design?

As an N-channel enhancement-mode device, it requires a positive gate-source voltage to conduct, which suits low-side and high-side switch topologies when driven appropriately.