Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement TO-263 IRFS4620TRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-9436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4620TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB403.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB431.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 330 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB80.702 | THB403.51 |
| 25 - 45 | THB72.156 | THB360.78 |
| 50 - 95 | THB70.698 | THB353.49 |
| 100 - 245 | THB58.04 | THB290.20 |
| 250 + | THB56.85 | THB284.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4620TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 77.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 144W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 77.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 144W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel HEXFET Power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR4620TRL
- Infineon AUIRFS N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-252
- Infineon BSC500N20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC500N20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC500N20NS3GATMA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220