Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-220 IRFB7440PBF

RS Stock No.:: 257-9360
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB7440PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-220 IRFB7440PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB339.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB362.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

165 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB67.838	THB339.19
10 - 20	THB52.642	THB263.21
25 - 95	THB51.564	THB257.82
100 - 495	THB43.18	THB215.90
500 +	THB36.952	THB184.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-9360
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB7440PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.50mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.50mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFB7440PBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 40V Maximum Drain-Source Voltage, 120A Maximum Continuous Drain Current - IRFB7440PBF

This MOSFET is a through‑hole N‑channel switching device designed for high‑current power applications. It operates over a wide temperature range and conforms to RoHS environmental restrictions. The package facilitates mounting on heatsinking surfaces for power dissipation management and discrete assembly in conventional circuits.

Features and Benefits:

• 2.50mΩ low Rds(on) for reduced conduction losses
• 40V drain-source limit enabling mid‑voltage systems
• 120A continuous current handling for sustained loads
• Enhancement‑channel operation for straightforward gate drive
• 1.3V forward voltage supporting efficient body‑diode conduction

Applications

• Suitable for high‑current MOSFET use in power supplies
• Ideal for MOSFETs in motor drivers (40V, 120A)
• Used with TO‑220 through‑hole N‑channel MOSFET 40V layouts
• Can be used as a HEXFET 2.5mΩ low Rds(on) MOSFET replacement
• Employed in circuits requiring high‑temperature MOSFET operation (-55°C to 175°C)

What temperature range can it reliably operate within?

It operates across -55°C to 175°C, covering low‑temperature starts and high‑temperature operation.

What mounting method is required for thermal management?

It is supplied in a TO‑220 through‑hole package intended for attachment to external heatsinks or chassis.

What type of channel and switching mode does it use?

The device is an N‑channel enhancement‑mode transistor that requires a gate‑source drive to conduct.

Is it suitable for automotive‑qualified installations?

It is not specified as meeting automotive standards and should be evaluated against vehicle‑specific requirements.

Does it meet environmental directive requirements?

It is RoHS‑compliant, indicating restriction of certain hazardous substances.