Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V Enhancement TO-220 IRFB4127PBF
- RS Stock No.:
- 257-5807
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4127PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB276.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB295.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 790 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB138.17 | THB276.34 |
| 10 - 18 | THB124.095 | THB248.19 |
| 20 - 48 | THB121.54 | THB243.08 |
| 50 - 98 | THB119.165 | THB238.33 |
| 100 + | THB101.985 | THB203.97 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5807
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4127PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | PCB | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type PCB | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard through-hole power package
High-current rating
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-220 IRFB4620PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-220 IRF200B211
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-262