Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V Enhancement TO-220 IRFB5615PBF

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*

THB303.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB325.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 980 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB60.758THB303.79
10 - 20THB53.38THB266.90
25 - 45THB52.286THB261.43
50 - 70THB51.25THB256.25
75 +THB50.214THB251.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9355
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-527
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFB5615PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

39mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFB series is the 150V single n channel Digital Audio power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Standard pinout allows for drop in replacement

High current carrying capability package

Industry standard qualification level

High performance in low frequency applications

Increased power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง