Vishay SI8824EDB Type N-Channel MOSFET, 2.1 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8824EDB-T2-E1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB294.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB314.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB11.76THB294.00
50 - 75THB11.407THB285.18
100 - 225THB10.951THB273.78
250 - 975THB10.404THB260.10
1000 +THB9.779THB244.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
256-7399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI8824EDB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

MICRO FOOT

Series

SI8824EDB

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.175Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.9W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.402mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SI8824EDB Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 2.1A Maximum Continuous Drain Current - SI8824EDB-T2-E1


This n-channel MOSFET is a compact surface-mount switching transistor designed for low-voltage power management and fast switching tasks. It operates within extreme ambient ranges and is intended for use where a small footprint and logic-level gate drive are required. The device complies with RoHS and is supplied in a MICRO FOOT package suitable for high-density assemblies.

Features and Benefits:


• Low on-resistance 0.175Ω enables reduced conduction losses
• Continuous drain current 2.1A supports moderate load currents
• Gate threshold tuned for Vgs 5V logic-level compatibility
• Typical gate charge 2.7nC for rapid switching performance
• Maximum power dissipation 0.9W manages thermal load in compact layouts
• Forward voltage 1.2V aids in predicting conduction drop

Applications


• Suitable for battery-powered DC-DC converters in compact designs
• Ideal for high-density power distribution on SMD assemblies
• Used with microcontrollers requiring Vgs 5V switching
• Can be used for low-voltage motor drivers and load switches
• Appropriate for signal-level power control in consumer electronics

What thermal extremes can the device endure in operation?


It is rated to operate from -55°C up to +150°C, allowing use in demanding temperature environments.

How does the package affect board layout considerations?


The MICRO FOOT surface-mount format minimises vertical and lateral space, facilitating tight component placement and low-profile assemblies.

What electrical limit should designers observe for drain-source voltage?


The maximum drain-source voltage is 20V, so designs must keep system voltages below this threshold.

How does switching behaviour influence gate drive selection?


With a typical gate charge of 2.7nC, gate drivers must supply sufficient current for the desired edge rates without excessive losses.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง