Vishay SI8802DB Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB24,372.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26,079.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB8.124THB24,372.00
6000 - 9000THB7.881THB23,643.00
12000 +THB7.644THB22,932.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-7328
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI8802DB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

8V

Package Type

MICRO FOOT

Series

SI8802DB

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

54mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

0.8mm

Width

0.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SI8802DB Series MOSFET, 3.5A Maximum Continuous Drain Current, 8V Maximum Drain Source Voltage - SI8802DB-T2-E1


This n-channel enhancement MOSFET is designed for low-voltage switching and power-management tasks in compact surface-mount assemblies. It operates across a wide temperature range and is suited to designs requiring a small footprint and moderate continuous current capability. The device conforms to RoHS requirements and is supplied in a very compact micro package for high-density board layouts.

Features and Benefits:


• 54mΩ on-resistance reduces conduction losses and heat generation
• 8V drain-source rating enables low-voltage power stages
• 3.5A continuous drain current supports moderate load currents
• 4.3nC typical gate charge permits faster switching transitions
• 0.6W maximum power dissipation limits thermal stress under load
• -55°C to 150°C operating temperature range ensures wide thermal tolerance

Applications


• Suitable for battery-powered low-voltage DC power switching
• Ideal for compact power-management modules on small PCBs
• Used with motor-driver stages requiring fast switching
• Can be used for portable device power-rail switching
• Used for load switching in dense surface-mount assemblies

What pin count and mounting style does it use?


It is supplied as a four-pin device intended for surface-mount assembly in a micro-footprint package.

How does its thermal performance constrain PCB design?


With a 0.6W maximum dissipation and a small package, adequate copper area or thermal vias are recommended to spread heat and prevent localised temperature rise.

What gating considerations are advised for fast switching?


The typical gate charge of 4.3nC at the specified gate voltage necessitates driver stages capable of sourcing and sinking sufficient current to achieve the desired edge rates.

What voltage limits must be respected for safe operation?


The device must not exceed an 8V drain-source differential and a 5V gate-source amplitude to remain within specified electrical limits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง