Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

RS Stock No.:: 180-7932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI8483DB-T2-E1
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB319.775

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB342.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB12.791	THB319.78
750 - 1475	THB12.471	THB311.78
1500 +	THB12.279	THB306.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI8483DB-T2-E1
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	TrenchFET
	Package Type	MICRO FOOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	13W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1 mm
	Height	0.59mm
	Length	1.5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series TrenchFET
	Package Type MICRO FOOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 13W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1 mm
	Height 0.59mm
	Length 1.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง