Vishay SI8802DB Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
- RS Stock No.:
- 180-7724
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8802DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB297.825
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB318.675
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB11.913 | THB297.83 |
| 750 - 1475 | THB11.616 | THB290.40 |
| 1500 + | THB11.437 | THB285.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7724
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8802DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 8V | |
| Series | SI8802DB | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 0.8mm | |
| Length | 0.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 8V | ||
Series SI8802DB | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 0.8mm | ||
Length 0.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay SI8802DB Series MOSFET, 3.5A Maximum Continuous Drain Current, 8V Maximum Drain Source Voltage - SI8802DB-T2-E1
This is a Compact N-channel enhancement MOSFET designed for low-voltage switching in surface-mount assemblies. It operates within a constrained voltage environment and suits thermal conditions encountered in industrial electronics. The device is offered in a small-footprint micro foot package with four pins for straightforward board integration.
Features and Benefits:
• 8V maximum drain voltage enables low-voltage switching applications • 3.5A continuous drain current supports moderate load currents • 54mΩ Rds(on) minimises conduction losses during operation • 4.3nC typical gate charge allows efficient switching at logic speeds • 0.6W power dissipation handles modest thermal loads on the board • -55°C to 150°C operating range endures wide temperature extremes
Applications
• Suitable for gate drive stages in industrial automation controllers • Ideal for low-voltage motor driver switching in Compact assemblies • Used with power management circuits in control panels • Can be used for load switching in sensor Interface modules
What gate drive limitations should I consider for switching performance?
The gate must not exceed ±5V relative to source and typical charge is 4.3nC, so design gate drivers to deliver sufficient current for the desired switching speed without surpassing the voltage limit.
How should thermal management be approached on the PCB?
With 0.6W maximum dissipation, provide adequate copper area or thermal vias beneath the package and avoid clustering high-dissipation components nearby to maintain junction temperatures within safe limits.
What mounting considerations apply for reliable assembly?
The device is a surface-mount component in a micro foot package with four pins, so use appropriate solder paste volume and reflow profile for small SMDs to ensure consistent solder joints.
Are there limitations for use in automotive systems?
The device is not classified as automotive grade, so it should not be used where automotive-specific approvals are required.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8824EDB-T2-E1
