Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
735-232
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI8916EDB-T6-E1
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.77W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.11mm

Width

1.11mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

130μm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง