Vishay IRFPG30 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG30PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB1,102.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,179.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 408 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
10 - 24THB110.275
26 - 98THB100.725
100 - 498THB87.09
500 +THB70.915

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
256-7301P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFPG30PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1000V

Series

IRFPG30

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFPG30 Series Power MOSFET, 1000V Maximum Drain Source Voltage, 125W Maximum Power Dissipation - IRFPG30PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion duties in demanding environments. It operates across a broad temperature range and is supplied in a through-hole package for robust mounting and thermal handling, making it suitable for industrial and high-voltage applications where controlled switching and heat dissipation are required.

Features and Benefits:


• 1000V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 3.1A continuous current supports moderate load conduction
• 125W dissipation allows sustained power handling under load
• 5Ω maximum RDS(on) limits conduction losses at rated conditions
• 80nC typical gate charge offers predictable switching energy
• 20V gate tolerance protects against excessive gate drive

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Used in industrial motor drive control stages
• Ideal for switching in induction heating systems
• Can be used for line-side surge or clamp circuits
• Used for educational and prototype through-hole power designs

What mounting method does it require for installation?


It is supplied in a TO-247AC through-hole package intended for bolted or soldered mounting to a PCB and heatsink interfaces for effective thermal coupling.

How does it behave across temperature extremes?


The device is rated to operate from -55°C up to +150°C, allowing use in environments with wide ambient and junction temperature variations.

What gate drive constraints should designers observe?


The gate must be driven within ±20V maximum to avoid exceeding gate-source voltage limits and to maintain reliable switching.

Are there any materials or environmental restrictions noted?


It complies with RoHS requirements, restricting certain hazardous substances in its construction.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง