Vishay IRFPG30 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB1,102.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,179.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 408 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
10 - 24THB110.275
26 - 98THB100.725
100 - 498THB87.09
500 +THB70.915

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
256-7301P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFPG30PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1000V

Series

IRFPG30

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFPG30 Series Power MOSFET, 1000V Maximum Drain Source Voltage, 3.1A Maximum Continuous Drain Current - IRFPG30PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for through-hole installation in industrial and power-conversion contexts. It copes with demanding thermal environments and is intended for circuits requiring substantial voltage endurance and moderate continuous current, where a through-hole TO-247AC package and robust power dissipation are advantageous.

Features and Benefits:


• 1000V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching applications • 125W power dissipation allows sustained power handling under load • 3.1A continuous drain current supports moderate current delivery • 5Ω maximum on-resistance minimises conduction losses at low gate drive • 80nC typical gate charge facilitates predictable switching behaviour • ±150°C/-55°C temperature range sustains wide operating environments

Applications


• Suitable for high-voltage industrial inverter stages • Ideal for switched-mode power supplies requiring through-hole mounting • Used for motor drive protection circuits with high voltage margins • Can be used for university and workshop prototyping of power circuits • Used with gate drivers in high-voltage switching assemblies

What gate drive considerations should be taken into account?


Expect a typical gate charge of 80nC at the rated gate voltage, so select a driver capable of sourcing and sinking sufficient current to meet desired switching speeds and to control switching losses.

How should thermal management be approached for this device?


The device can dissipate up to 125W

employ an appropriate heatsink and ensure thermal path integrity from the TO-247AC package to maintain junction temperature within limits during continuous operation.

What are the device’s environmental operating limits?


It is specified for operation down to -55°C and up to +150°C, permitting use across a broad temperature range in industrial settings.

What mechanical mounting and connection format does it use?


It is supplied in a through-hole TO-247AC package with three pins, suitable for bolted heatsink attachment and reliable soldered board connections.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง