Vishay Dual SiZ270DT 2 Type N-Channel MOSFET, 19.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S

RS Stock No.:: 204-7263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZ270DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual SiZ270DT 2 Type N-Channel MOSFET, 19.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB76,953.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB82,341.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB25.651	THB76,953.00
6000 - 9000	THB24.882	THB74,646.00
12000 +	THB24.135	THB72,405.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-7263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZ270DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3S
	Series	SiZ270DT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0377Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Length	3.3mm
	Width	3.3 mm
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3S
	Series SiZ270DT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0377Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Length 3.3mm
	Width 3.3 mm
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SIZ270DT-T1-GE3

The Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs is an integrated MOSFET half bridge power stage and has a optimized Qgs/Qgs ratio improves switching characteristics.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Vishay Dual SiZ270DT 2 Type N-Channel MOSFET, 19.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง