Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- RS Stock No.:
- 250-0217
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 18 ชิ้น)*
THB106,300.656
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB113,741.694
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 18 - 18 | THB5,905.592 | THB106,300.66 |
| 36 - 36 | THB5,610.304 | THB100,985.47 |
| 54 + | THB5,329.798 | THB95,936.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0217
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | IAUZ | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series IAUZ | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 3-Level module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material and PressFIT Contact Technology.
High current density
Low switching losses
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
Pre-applied thermal interface material
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ30N06S5L140ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUZ20N08S5L300ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUZ30N10S5L240ATMA1