Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules, 160 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- RS Stock No.:
- 762-884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB15,435.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,516.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 17 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB15,435.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 160A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Series | XHP 2 | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 5.35V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.3μC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Transistor Configuration | Half Bridge | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 62.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 160A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Series XHP 2 | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 5.35V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.3μC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Transistor Configuration Half Bridge | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 62.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET half-bridge module offers 200A continuous drain current. It boasts a breakdown voltage of 1200 V and supports rugged mounting with integrated clamps and contact technology.
Low switching losses
High current density
Integrated mounting clamps
NTC temperature sensor
Pre-applied thermal Interface material
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin AG-XHP2K33
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 1200 V Enhancement, 15-Pin AG-62MMHB
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
- Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules 2300 V Enhancement, 15-Pin XHP-2
