Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
- RS Stock No.:
- 222-4801
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB35,260.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,729.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 30 | THB2,350.718 | THB35,260.77 |
| 45 - 60 | THB2,260.347 | THB33,905.21 |
| 75 + | THB2,231.725 | THB33,475.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4801
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Channel Type | N | |
| Transistor Configuration | Common Emitter | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Channel Type N | ||
Transistor Configuration Common Emitter | ||
The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Low VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
- Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-EASY2B
- Infineon FS75R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 65 A 1200 V AG-EASY2B-711
- Infineon FP35R12W2T4BOMA1 3 Phase Bridge IGBT Module Panel Mount
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
- Infineon FP50R12KT4BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
- Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
