Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1
- RS Stock No.:
- 234-8967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB71,161.488
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB76,142.784
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | THB2,965.062 | THB71,161.49 |
| 48 - 48 | THB2,816.803 | THB67,603.27 |
| 72 + | THB2,675.975 | THB64,223.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-8967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Series | F4 | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 15 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.062μC | |
| Forward Voltage Vf | 5.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Length | 62.8mm | |
| Width | 33.8 mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Series F4 | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 15 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.062μC | ||
Forward Voltage Vf 5.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Length 62.8mm | ||
Width 33.8 mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.
Chassis mount
-40°C to 150°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon FF6MR Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK FS33MR12W1M1HB70BPSA1
