Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*

THB71,161.488

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB76,142.784

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
24 - 24THB2,965.062THB71,161.49
48 - 48THB2,816.803THB67,603.27
72 +THB2,675.975THB64,223.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
234-8967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F445MR12W1M1B76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-EASY2B

Series

F4

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Forward Voltage Vf

5.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Length

62.8mm

Width

33.8 mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง