Infineon IAUZ N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ40N06S5N050ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB198.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB212.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,660 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB39.724THB198.62
10 - 95THB35.752THB178.76
100 - 245THB32.174THB160.87
250 - 495THB28.982THB144.91
500 +THB26.10THB130.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
249-6900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IAUZ40N06S5N050ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IAUZ

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon IAUZ Series MOSFET, 60V Maximum Drain-Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - IAUZ40N06S5N050ATMA1


This MOSFET is an N-channel enhancement device designed for high-current switching in surface-mount applications. It operates across a wide temperature range and is suitable where Compact power handling and rugged thermal tolerance are required. The device conforms to environmental restrictions and is supplied in a heat-efficient PQFN package optimised for automated placement.

Features and Benefits:


• 5mΩ Rds(on) enables reduced conduction losses
• 60V Vds supports medium-voltage power stages
• 40A continuous current handles high-load switching
• 81W power dissipation allows sustained thermal loading
• 80 nC typical gate charge facilitates predictable drive requirements

Applications


• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for DC-DC converter output stages
• Used with motor drive half-bridges in Compact systems
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Used for industrial switching across wide temperatures

What gate drive considerations are needed for this device?


A gate drive capable of delivering approximately 80 nC at the chosen Vgs level will ensure reliable switching timings and predictable transition losses.

How does the thermal environment affect continuous current capability?


The 81W dissipation rating requires adequate PCB thermal management and thermal vias to sustain high continuous currents without exceeding junction temperature limits.

What voltage and polarity constraints apply to the gate?


The gate must not be driven beyond ±20V relative to the source to avoid damage to the gate oxide.

What temperature range can it tolerate in industrial settings?


It is specified to operate from -55°C up to 175°C, enabling use in harsh and high-temperature environments.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง