Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 243-9339
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZ20N08S5L300ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB55,000.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,850.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB11.00 | THB55,000.00 |
| 10000 - 10000 | THB10.67 | THB53,350.00 |
| 15000 + | THB10.243 | THB51,215.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 243-9339
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZ20N08S5L300ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IAUZ | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IAUZ | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET for automotive applications, N-channel-Enhancement mode-Logic Level and 100% Avalanche tested.
N Channel
100% Avalanche tested
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUZ20N08S5L300ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUZ30N10S5L240ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N10S5L040ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC120N04S6L005ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC120N04S6N006ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6