Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3
- RS Stock No.:
- 239-8632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB205.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB205.52 |
| 50 - 99 | THB175.35 |
| 100 - 249 | THB151.96 |
| 250 - 999 | THB148.95 |
| 1000 + | THB109.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | EF | |
| Package Type | PowerPAK 8 x 8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.09Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 174W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series EF | ||
Package Type PowerPAK 8 x 8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.09Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 174W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay EF series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.
4th generation E series technology
Low effective capacitance
Low switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH125N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH070N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH186N60EF-T1GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3