Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3
- RS Stock No.:
- 239-8632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB205.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,494 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB205.52 |
| 50 - 99 | THB175.35 |
| 100 - 249 | THB151.96 |
| 250 - 999 | THB148.95 |
| 1000 + | THB109.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK 8 x 8 | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.09Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 174W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK 8 x 8 | ||
Series EF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.09Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 174W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 26A Continuous Drain Current - SiHH105N60EF-T1GE3
This power MOSFET is a high-voltage, N‑channel device intended for switching and power-conversion roles in automotive and industrial electronics. It operates across a wide temperature span and is designed as a surface‑mount component for Compact assemblies, providing robust high-voltage switching where thermal endurance and automotive qualification are required.
Features and Benefits:
• 650V drain voltage enables high-voltage switching applications • 26A continuous drain current supports sustained load currents • 0.091Ω low Rds(on) reduces conduction losses in switching stages • 174W power dissipation allows higher power handling in Compact layouts • 33nC typical gate charge facilitates controlled gate‑drive energy • ±30V gate tolerance accommodates varied gate‑drive voltages
Applications
• Suitable for automotive power converters and traction systems • Ideal for high-voltage switch‑mode power supplies in industrial automation • Used for inverter stages in motor‑drive • Can be used for primary‑side switching in SMPS topologies
What thermal range can this device tolerate during operation?
It is rated to operate from -55°C up to +150°C, allowing use in environments with large temperature variations.
How does the pin count and mounting affect PCB layout?
The four‑pin surface‑mount PowerPAK 8x8 package simplifies thermal routing and allows low‑inductance connections for high‑speed switching.
What gate‑drive considerations are necessary for reliable switching?
Gate drive should respect the ±30V maximum Vgs and be designed to manage the 33nC gate charge to control switching speed and minimise EMI.
Is the device suitable for automotive qualification requirements?
It complies with the AEC‑Q101 standard and is RoHS compliant, meeting typical automotive component acceptance criteria.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH125N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH070N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH186N60EF-T1GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3
