Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB205.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB219.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,494 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 49THB205.52
50 - 99THB175.35
100 - 249THB151.96
250 - 999THB148.95
1000 +THB109.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
239-8632
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiHH105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

EF

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.09Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

174W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 26A Continuous Drain Current - SiHH105N60EF-T1GE3


This power MOSFET is a high-voltage, N‑channel device intended for switching and power-conversion roles in automotive and industrial electronics. It operates across a wide temperature span and is designed as a surface‑mount component for Compact assemblies, providing robust high-voltage switching where thermal endurance and automotive qualification are required.

Features and Benefits:


• 650V drain voltage enables high-voltage switching applications • 26A continuous drain current supports sustained load currents • 0.091Ω low Rds(on) reduces conduction losses in switching stages • 174W power dissipation allows higher power handling in Compact layouts • 33nC typical gate charge facilitates controlled gate‑drive energy • ±30V gate tolerance accommodates varied gate‑drive voltages

Applications


• Suitable for automotive power converters and traction systems • Ideal for high-voltage switch‑mode power supplies in industrial automation • Used for inverter stages in motor‑drive • Can be used for primary‑side switching in SMPS topologies

What thermal range can this device tolerate during operation?


It is rated to operate from -55°C up to +150°C, allowing use in environments with large temperature variations.

How does the pin count and mounting affect PCB layout?


The four‑pin surface‑mount PowerPAK 8x8 package simplifies thermal routing and allows low‑inductance connections for high‑speed switching.

What gate‑drive considerations are necessary for reliable switching?


Gate drive should respect the ±30V maximum Vgs and be designed to manage the 33nC gate charge to control switching speed and minimise EMI.

Is the device suitable for automotive qualification requirements?


It complies with the AEC‑Q101 standard and is RoHS compliant, meeting typical automotive component acceptance criteria.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง