Vishay EF N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH186N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
200-6811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHH186N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

EF

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

193mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Height

8.1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.05mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง