Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 239-8631
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHH105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB457,875.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB489,927.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB152.625	THB457,875.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8631
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHH105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	EF
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.091Ω
	Channel Mode	Depletion
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	174W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series EF
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.091Ω
	Channel Mode Depletion
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 174W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SiHH105N60EF-T1GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 26A Maximum Continuous Drain Current - SiHH105N60EF-T1GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mount applications in industrial and automotive environments. It operates across a wide temperature span and is intended for circuits requiring robust high-voltage switching with moderate continuous current capacity and gate drive characteristics.

Features and Benefits:

• 650V drain-source rating enables high-voltage switching
• 26A continuous drain current supports substantial load currents
• 0.091Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 174W power dissipation allows sustained thermal loading
• 33nC typical gate charge enables predictable drive requirements
• 30V gate-rated voltage supports common gate-drive schemes

Applications

• Suitable for high-voltage DC-DC converters in industrial power supplies
• Ideal for automotive power modules meeting AEC‑Q101 needs
• Used for primary-side switching in SMPS and inverters
• Can be used for motor drive half‑bridge stages in electrified systems
• Suitable for ruggedised electronic assemblies requiring surface mounting

What mounting format does it use for compact assemblies?

It is supplied in a PowerPAK 8x8 format designed for surface mounting to facilitate dense PCB layouts and thermal coupling to copper pours.

How does it perform across temperature extremes?

It is specified to operate from -55°C up to +150°C, so it can function in demanding ambient and elevated junction scenarios when cooled appropriately.

What gate-drive constraints should be observed?

The device must not be driven beyond a gate-source voltage of 30V and typical gate charge is 33nC, which informs peak drive current and driver selection.

Is it suitable for automotive qualification requirements?

The device meets the AEC‑Q101 automotive standard, making it appropriate for vehicle‑grade electronic designs that require that qualification.