Vishay EF N-Channel MOSFET, 23 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH125N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
200-6809
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHH125N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

8.1mm

Length

8.1mm

Width

1.05mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง