Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 239-8619
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHA15N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,496.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,741.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB69.936	THB3,496.80
100 - 450	THB63.854	THB3,192.70
500 - 950	THB59.293	THB2,964.65
1000 +	THB54.732	THB2,736.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8619
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHA15N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	EF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.31Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series EF
	Package Type TO-220
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.31Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 850V Drain Source Voltage, 6A Continuous Drain Current - SIHA15N80AEF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor intended for demanding electronic and automotive environments. It functions as an N-channel depletion device in a rugged TO-220 surface package, designed to handle elevated voltages and temperatures while interfacing with standard gate-drive levels.

Features and Benefits:

• 850V drain rating enables high-voltage switching applications • 6 A continuous drain current supports moderate load currents • 33W power dissipation allows sustained thermal handling • 0.35 Ω Rds(on) reduces conduction losses under load • 54 nC typical gate charge permits controlled switching dynamics • 30V maximum gate tolerance protects against gate overvoltage

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies in industrial automation • Ideal for automotive subsystems requiring AEC‑Q101 compliance • Used for motor-control circuits needing robust switching devices • Can be used for DC-DC converters in electrical systems • Used with high-voltage inverter stages in electromechanical equipment

What temperature extremes can this device tolerate in operation?

It operates across a wide temperature span from -55 °C up to +150 °C, permitting use in harsh thermal environments.

How is the device mounted and integrated into assemblies?

It is supplied in a TO-220 surface-mount package with three pins for straightforward through-panel or heatsink-attached mounting.

What protection level is provided for environmental directives?

The component meets RoHS standards, indicating restricted hazardous substance compliance for materials.

How does the gate specification affect drive circuitry?

The gate accepts up to 30 V, so driver stages should be designed to remain within this limit to avoid gate stress.