STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2
- RS Stock No.:
- 239-5530
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW60N120G2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,062.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,136.71
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 265 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,062.35 |
| 5 - 9 | THB1,041.05 |
| 10 - 14 | THB1,020.35 |
| 15 - 19 | THB999.67 |
| 20 + | THB980.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5530
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW60N120G2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 73mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 94nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 389W | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 15.6 mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Length | 34.8mm | |
| Height | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 73mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 389W | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 15.6 mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Length 34.8mm | ||
Height 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Very high operating junction temperature capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT040W120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247