STMicroelectronics SCTW70N Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V

RS Stock No.:: 233-3024
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW70N120G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTW70N Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB2,486.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,660.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 4	THB2,486.42
5 - 9	THB2,444.16
10 - 14	THB2,402.62
15 - 19	THB2,361.77
20 +	THB2,321.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 233-3024
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW70N120G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	SCTW70N
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	2.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	547W
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.75mm
	Height	20.15mm
	Width	5.15 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series SCTW70N
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 2.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 547W
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.75mm
	Height 20.15mm
	Width 5.15 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTW70N120G2V

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the Sic material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

STMicroelectronics SCTW70N Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง