STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 215-073
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT025W120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,354.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,449.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB1,354.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-073
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT025W120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 56A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 388W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 15.6 mm | |
| Height | 5mm | |
| Length | 34.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 56A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 388W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 15.6 mm | ||
Height 5mm | ||
Length 34.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT040W120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247