STMicroelectronics SCT N channel-Channel Power MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT018W65G3AG

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB604.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB646.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 299 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB604.00
5 +THB585.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-468
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT018W65G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

HIP-247-3

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

398W

Maximum Operating Temperature

200°C

Length

15.75mm

Height

20.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง