STMicroelectronics SCTW40N N-Channel MOSFET, 36 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB657.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB703.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB657.10
5 - 9THB643.84
10 +THB603.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-4228
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTW40N120G2V
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

SCTW40N

Package Type

Hip-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง