STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4
- RS Stock No.:
- 230-0094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,266.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,355.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,266.53 |
| 10 - 99 | THB1,234.86 |
| 100 - 249 | THB1,203.99 |
| 250 - 499 | THB1,173.88 |
| 500 + | THB1,144.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-0094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCTW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 388W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCTW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 388W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW60N120G2
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics SCT 1 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4