STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
230-0094
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTWA60N120G2-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCTW

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

388W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.1mm

Height

21.1mm

Length

15.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง