Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,749.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,152.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB114.99THB5,749.50
100 - 450THB111.54THB5,577.00
500 - 950THB107.078THB5,353.90
1000 +THB101.725THB5,086.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-5382
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHP24N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

EF

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.195Ω

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 20A Continuous Drain Current - SIHP24N80AEF-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for through-hole power electronics. It is intended for use in environments requiring robust switching at elevated voltages and currents, delivering controlled conduction and fast switching behaviour for industrial and converter applications while operating across a very wide temperature range.

Features and Benefits:


• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 20A continuous drain current supports heavy load handling
• 0.195Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 208W power dissipation allows high-power operation
• 90nC typical gate charge yields predictable switching dynamics
• 30V gate-source maximum protects gate integrity

Applications


• Suitable for high-voltage DC-DC converter stages
• Ideal for power supply primary switch functions
• Used with motor drive front-end circuits
• Can be used for industrial inverter switching
• Suitable for laboratory high-voltage test rigs

What package and mounting method does it use?


It is supplied in a TO-220AB package and is intended for through-hole mounting to allow straightforward heatsinking and chassis attachment.

What thermal range can it withstand in demanding environments?


The device is specified to operate from -55°C up to 150°C, accommodating wide ambient and elevated junction temperatures.

How does the forward voltage affect switching performance?


The typical forward voltage of 1.2V indicates conduction-threshold behaviour during body-diode conduction and influences loss calculations during reverse-recovery and freewheeling events.

Is this device suitable for automotive-standard designs?


It is not designated to meet automotive standards and should not be assumed compliant with automotive-specific requirements.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง