Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3

RS Stock No.:: 239-5383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP24N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB299.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB320.562

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB149.795	THB299.59
10 - 18	THB134.84	THB269.68
20 - 24	THB132.085	THB264.17
26 - 98	THB127.47	THB254.94
100 +	THB110.675	THB221.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-5383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP24N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	EF
	Package Type	TO-220AB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.195Ω
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	90nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series EF
	Package Type TO-220AB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.195Ω
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP24N80AEF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 20A Drain Current - SIHP24N80AEF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial electronic systems. It is supplied in a through-hole TO-220AB package for straightforward mounting and heat-sink attachment, and it is intended for applications that require robust voltage handling and elevated operating temperatures.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching applications • 20A continuous drain current supports significant load currents • 0.195Ω Rds(on) reduces conduction losses under load • 208W power dissipation allows higher thermal loading • 90nC typical gate charge facilitates switching performance optimisation • 150°C maximum junction temperature endures elevated thermal environments

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters • Ideal for industrial motor drive switching stages • Used for switched-mode power supplies in automation equipment • Can be used for power regulation in electrical control panels

What gate voltage limits must be observed during drive design?

The device requires gate drive voltages within ±30V maximum between gate and source to avoid gate overstress.

How should thermal management be approached for sustained operation?

Use a heat-sink attached to the TO-220AB tab and ensure adequate airflow to handle up to 208W dissipation under specified mounting and cooling conditions.

What temperature range is acceptable for deployment in harsh environments?

The component operates from -55°C up to a maximum of 150°C junction temperature, permitting use in elevated-temperature assemblies.

Are there considerations for switching speed versus drive energy?

The typical gate charge of 90nC requires sufficient drive current to achieve desired switching times while managing gate-drive energy and EMI.