Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- RS Stock No.:
- 239-5383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP24N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB329.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB352.618
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB164.775 | THB329.55 |
| 10 - 18 | THB148.325 | THB296.65 |
| 20 - 24 | THB145.295 | THB290.59 |
| 26 - 98 | THB140.22 | THB280.44 |
| 100 + | THB121.745 | THB243.49 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP24N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.195Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.195Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 20A Continuous Drain Current - SIHP24N80AEF-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for through-hole power electronics. It is intended for use in environments requiring robust switching at elevated voltages and currents, delivering controlled conduction and fast switching behaviour for industrial and converter applications while operating across a very wide temperature range.
Features and Benefits:
• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 20A continuous drain current supports heavy load handling
• 0.195Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 208W power dissipation allows high-power operation
• 90nC typical gate charge yields predictable switching dynamics
• 30V gate-source maximum protects gate integrity
• 20A continuous drain current supports heavy load handling
• 0.195Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 208W power dissipation allows high-power operation
• 90nC typical gate charge yields predictable switching dynamics
• 30V gate-source maximum protects gate integrity
Applications
• Suitable for high-voltage DC-DC converter stages
• Ideal for power supply primary switch functions
• Used with motor drive front-end circuits
• Can be used for industrial inverter switching
• Suitable for laboratory high-voltage test rigs
• Ideal for power supply primary switch functions
• Used with motor drive front-end circuits
• Can be used for industrial inverter switching
• Suitable for laboratory high-voltage test rigs
What package and mounting method does it use?
It is supplied in a TO-220AB package and is intended for through-hole mounting to allow straightforward heatsinking and chassis attachment.
What thermal range can it withstand in demanding environments?
The device is specified to operate from -55°C up to 150°C, accommodating wide ambient and elevated junction temperatures.
How does the forward voltage affect switching performance?
The typical forward voltage of 1.2V indicates conduction-threshold behaviour during body-diode conduction and influences loss calculations during reverse-recovery and freewheeling events.
Is this device suitable for automotive-standard designs?
It is not designated to meet automotive standards and should not be assumed compliant with automotive-specific requirements.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SiHP105N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP186N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247AC SIHG15N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3
