Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 10)*

THB89.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,190 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB8.90THB89.00
20 - 90THB8.714THB87.14
100 - 240THB8.548THB85.48
250 - 490THB8.381THB83.81
500 +THB8.215THB82.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
236-4398
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS126IXTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS®

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.4mm

Height

1.1mm

Length

3mm

Automotive Standard

No

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 0.5W Maximum Power Dissipation - BSS126IXTSA1


This MOSFET is a small-signal, N-channel depletion-mode transistor designed for surface-mounted electronics requiring high-voltage switching in Compact footprints. It operates across a wide temperature range and is intended for low-current applications where a depletion-mode device is preferred to provide normally-on behaviour and simplified gate control.

Features and Benefits:


• Maximum drain-source voltage 600 V enables high-voltage switching
• Maximum continuous drain current 21 mA supports low-power circuits
• Maximum drain-source resistance 700 Ω limits on-state conduction
• Forward voltage 1.2 V reduces voltage drop in driven paths
• Typical gate charge 1.4 nC allows modest gate-drive energy
• Maximum power dissipation 0.5 W suits low-power thermal budgets

Applications


• Suitable for high-voltage biasing networks in analogue designs
• Ideal for low-current protection circuits and bleeder resistors
• Used with small-signal drivers requiring depletion-mode behaviour
• Can be used for current steering in sensor front-ends
• Appropriate for Compact power-management subcircuits in converters

What gate voltage range can be applied safely?


A gate-to-source potential up to 20 V is permissible for normal operation.

What thermal range will the device tolerate during use?


It is rated to function between −55 °C and 150 °C for varied environments.

How is the component packaged for PCB assembly?


It is supplied in a SOT-23 surface-mount package suitable for automated placement.

What mechanical envelope should be allowed on the PCB footprint?


The package measures approximately 3 mm length, 1.4 mm width and 1.1 mm height for land-pattern planning.

Does the device meet automotive-grade classification?


It is not specified as an automotive-standard component and should not be assumed to meet those criteria.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง